SOI

絶縁能力が従来のpn分離よりも優れているため、比較的高電圧で使用するICの性能向上に効果が大。

唯一の難点は基板(ウェハー)製造コストの上昇である。

従来は、素子間に常に逆バイアスとなるようpn接合を形成し、これにより素子を分離するpn分離という技術が用いられていた。

しかしこの方法には、次のような問題や難点があった。

• 製造工程の複雑化によって素子性能が低下する
• 比較的広いスペースが必要なため高密度化の妨げになる
• 思わぬ個所に寄生素子を生じる場合があるため回路設計が複雑化する
• 逆バイアスされたpn接合には接合容量(静電容量)があるため、動作速度の向上を阻害する

SOI技術を用いることにより上記の問題点を解消でき、動作速度の向上や集積密度の高密度化、低消費電力を実現する事ができる。