ア | イ | ウ | エ | オ |
カ | キ | ク | ケ | コ |
サ | シ | ス | セ | ソ |
タ | チ | ツ | テ | ト |
ナ | ニ | ヌ | ネ | ノ |
ハ | ヒ | フ | ヘ | ホ |
マ | ミ | ム | メ | モ |
ヤ | ユ | ヨ | ||
ラ | リ | ル | レ | ロ |
ワ | ヰ | ヴ | ヱ | ヲ |
ン |
A | B | C | D | E |
F | G | H | I | J |
K | L | M | N | O |
P | Q | R | S | T |
U | V | W | X | Y |
Z | 数字 | 記号 |
単一の半導体結晶に加工を施し、p型半導体部とn型半導体部が隣り合うようにした場合、そのp型とn型の境界部をこう呼ぶ。
なお「接合」といっても、別々のp型半導体とn型半導体をただ単にくっつけただけのものではない。
ちなみに半導体物理では不純物濃度を表わす変数に大文字のNを用いるため、論文では大抵小文字でpnと記述して区別している。
コメントなどを投稿するフォームは、日本語対応時のみ表示されます