OUM

Ovonic統合メモリー。米Ovonyx社が開発した、フラッシュメモリーから派生したメモリー技術で、DVD-RAMなどと同様に14族カルコゲニド合金による薄膜素材を使用している。

このメモリーは、カルコゲニド合金がアモルファス(非結晶)状態では抵抗値が高くなり、結晶状態では抵抗値が低くなるという特性を利用したもので、この二つの状態を印加電圧により切り替えることで0と1の論理を記憶させる。抵抗値は非破壊読み出しが可能で、また電源を落としても結晶状態は変わらないので不揮発性である。

電圧を印加するとカルコゲニド化合物と抵抗素子の間に電流が流れ、やがて抵抗素子にジュール熱が発生することで結晶状態へと変化する。また、ジュール熱発生直後に印加電圧をGNDレベルに下げ、高温からの急冷するとアモルファス(非結晶)状態となる。

つまり状態変化はパルスの時間に依存するため、OUMは2本のラインのみで読み書きが制御でき、集積度を高めることができる。その一方で、電流による加熱で書き込みをするために信頼性が懸念されている。また、読み出しが20〜80ns程度とSRAM/DRAM程度であるのに対し、書き込みは印加電圧時間が鍵となるため概ね100µ秒以上かかり、書き込み速度の高速化の壁となっている。

通信用語の基礎知識検索システム WDIC Explorer Version 7.04a (27-May-2022)