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金属と半導体の接合により形成されるショットキーバリア(ショットキー障壁)を利用したダイオード。「ショットキーダイオード」とも。
金属と半導体で整流性(ダイオード特性)が得られる接合をショットキー接合という。
このとき、金属と半導体の接合部には電子に対するポテンシャルエネルギー障壁が形成され、これをショットキーバリア(ショットキー障壁)という。
ショットキーバリア(ショットキー障壁)はダイオードとして利用できる特性を持つことから、これを応用したものがショットキーバリアダイオードとなる。
通常の半導体ダイオードはpn接合の整流作用を利用している。
pn接合が少数キャリアを利用するのに対して、ショットキー接合は多数キャリアで動作するため、順方向電圧が小さく逆回復時間が短いことから、高速スイッチング動作に適している。
順方向の電圧降下が少ないことと、高速性に優れることが特徴である。
弱点としては、逆方向耐電圧が低いことが挙げられる。
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