FeRAM

書き換え回数は10¹²〜10¹⁶回以上と、SRAM/DRAM並かそれ以上に高寿命である。

フラッシュメモリーと比較しても1万倍以上あるため、実質的に寿命を気にする必要がない。

メモリーセル面積が小さく済み、理論上は高集積で大容量化が可能。しかしキャパシタの品質のばらつきから、大容量化は困難ではないかとの指摘がある。

また、FeRAMは基本的にキャパシタの電荷を読み出すためデータ破壊読み出し型メモリーである。元の値を保持するためには、読んだ後に再書き込みをする必要があり、このための時間が必須で、読み出しにも時間がかかる点が問題とされる。しかし、非破壊読み出しを謳った製品も研究されている。

読み書き速度は30ns〜100ns程度で、SRAM/DRAMと同等からやや遅い程度である。

FeRAMのセルは3タイプあり、2T2C、1T1C、1Trがある。

T2C型

2T2C(2トランジスタ2キャパシタ)セルは実用化済みで、片方に1、もう片方には反対に0を記録させ、電位差がプラスなら1、マイナスなら0というように出力する。

1T1C型

1T1Cセルは集積度向上のため、0と1の中間レベルのリファレンス電圧を用意し、この電圧を基準として0か1かを判断する。

1Tr型

1Trセルは1T1Cセルからキャパシタを除去し更に集積度を高めたもので、FETのゲート絶縁体膜を強誘電体膜に置きかえることでFETにキャパシタの能力を持たせた。

強誘電体には、様々な素材が使われている。

BLT、SBT、PZTなどがあり、主力はPZTであるが、どれにも一長一短がある。