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SOI技術の一。半導体基板中にイオン打ち込みによって酸素原子を注入した後、熱処理を加えることにより酸化物(絶縁体)の層を形成する技術。
熱処理にはイオンの通過によって生じた結晶構造の欠陥を修復する目的もある。
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