スピン注入メモリー

2010(平成22)年現在、活発に研究開発が進められているメモリーである。

情報は磁化の方向で記録されるが、これを電子のスピンによって生じる磁場(磁界)を利用して変更する。

電源を切ってもデータは消えず、かつ読み書きの速度はDRAMに匹敵するなど、利点が多い。

速度が遅く、しかも使いにくいフラッシュメモリーの代替となることが期待されている。