III‐V族化合物半導体
読み：さん-ごぞく-かごうぶつ-はんどうたい
III族元素とV族元素を用いた化合物半導体。
概要
III族/V族は短周期表での族であり、現在の長周期表ではIII族は3族と13族、V族は5族と15族が該当する。
実際に使われるのは13族と15族のみで、3族と5族は材料としての実用例はない。
特徴
元素
中でもよく使われる元素はそれぞれ次のとおりである。
種類
具体的な組み合わせとしては、次のようなものが知られている(順不同)。
- 砒化ガリウム(GaAs)、別名ガリウム砒素
- ガリウム燐(GaP)
- インジウム燐(InP)
- 窒化インジウムガリウム(InGaN)、別名ガリウム・インジウム・窒素(GaInN)
- 窒化ガリウム(GaN)
窒素を含む化合物半導体は窒化物半導体と呼ばれており、中でも窒化ガリウムは有望な素材と考えられている。
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