XDR DRAM |
辞書:科学用語の基礎知識 電子部品編 (NELECP) |
読み:エックスディーアー-ディーラム |
外語:XDR DRAM |
品詞:名詞 |
米Rambus(ランバス)社により開発された高速DRAMの一つ。開発コードネームは「Yellowstone」。
Direct RDRAMの後継とも言える製品である。
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特徴 |
1クロックサイクルあたり、8つのデータ入出力が可能なODR(Octal Data Rate)の採用と、DRAMとしては世界初の0.2V DRSL(Differential Rambus Signaling Level、小振幅作動信号)をデータバスに用いたことが最大の特徴である。
大容量データ処理に向いており、ソニーのゲーム専用機PLAYSTATION 3で採用された。
性能 |
データ転送速度2.4GHz、3.2GHz、4.0GHzの製品がある。エルピーダが2005(平成17)年3月30日に、東芝が2005(平成17)年12月25日に、それぞれ512Miビット製品のサンプル出荷を開始している。
512Miビット製品は4Mワード×8バンク×16ビットで、動作電圧は1.8V VDD。最小サイクルタイム(tRC)は40ns、最小レイテンシー(tRAC)は27nsである。
後継と将来の展望 |
後継としてXDR2を2007(平成19)年から量産開始することを発表している。
これは4.8GHzで動作し、6.4GHz動作も確認できているとされる。
リンク |
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