NAND型フラッシュメモリー
読み：ナンドがたフラッシュメモリー
フラッシュメモリーの一種。NANDフラッシュメモリーとも。
概要
1987(昭和62)年に東芝により開発されたフラッシュメモリーである。
それまでのNOR型フラッシュメモリーと比較し、信頼性は劣るものの消去や書き込みなどが高速で、また回路もコンパクトで大容量化に向いている。一方、消去はブロック単位でしかできないため、ランダムアクセスには向いていない。
データ記録用に向いており、現在、民生用製品に用いられているものは、殆どがこのNAND型フラッシュメモリーとなっている。
特徴
種類
NAND型フラッシュメモリーも改良が進み、現在では次の二種類に分けられている。
- SLC (Single Level Cell)
- MLC (Multi Level Cell)
一つのセルに1ビット記録するものがSLCで、2ビット(以上)記録するものがMLCである。
性質
NAND型フラッシュメモリーは独特の性質を持っており、このためやや使いにくい。
- 消去はブロック単位
- 書き込みはページ単位
- 読み出しもページ単位
1ページの大きさは製品ごとに異なるが、2Kiバイト前後が多い。そして、消去単位であるブロックは64ページ程度と大きめに設定されていることが多いようである。
また、書き込みだけでなく読み出しもページ単位であるため、従来のROMのようにここにプログラムを置いて直接CPUで実行することができない。必ず一旦RAMなどに複写する必要がある。このような用途ではNOR型フラッシュメモリーが使われることが多い。
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