ダイオードのpn接合に生じる空乏層容量。

概要

ダイオードに逆バイアス(逆方向の電圧)を加えると接合部分に空乏層と呼ばれる絶縁物と同じ性質を持つ薄い層が発生する。

空乏層はコンデンサーと同じ構造で、静電容量を持つ。これを「接合部分に生じる静電容量」という意味で、接合容量と呼ぶ。

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関連する用語
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逆バイアス
SOI
静電容量

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