メモリスターに似た機能・動作を、強誘電体を用いて実現した素子。

概要

2010(平成22)年6月にパナソニックが開発し、発表した。

ディジタルメモリーが0か1のみを記録するのに対して、強誘電体メモリスタは0〜1までの任意の中間値をアナログ情報として記憶/再生することができる。

2013(平成25)年6月にパナソニックは、強誘電体メモリスタをCMOS回路上に形成することに成功したと発表した。この技術を用いると、電子回路にて人の思考の一部を再現するニュートラルネットワーク処理をする場合、消費電力は最大で1/10に削減できるとした。

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関連する用語
メモリスター
FeRAM

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