LRDIMM
読み：エルアー-ディム
外語：LRDIMM: Load Reduced DIMM
バッファーICを搭載し、大容量のメモリーを搭載可能にしたメモリーモジュールのこと。
概要
以前から使われていたRDIMMは、CMD/Address/Clockの信号線をメモリー側でバッファリングすることで多くのメモリーが搭載可能となった。
LRDIMMでは、バッファーICにより、CMD/Address/Clockの信号線に加えて、データ信号を含めたすべての信号をコントローラーとSDRAMの間でバッファリングする。これにより、メモリーモジュール上の小さなメモリーチップを大容量のメモリーチップに見せかけることが出来るようになり、さらに多くのメモリーを搭載できるようにした。
特徴
モジュール
たとえば、1GビットのDRAMが16個搭載された2Gバイトのメモリーモジュールを想定する。
この時、モジュール上に搭載したバッファーを使うことで、4GビットのDRAMが4個で構成されたかのように見せることができる。こうすると、メモリーコントローラーの構造を簡略化することができ、また1モジュールに搭載可能なDIMMの容量を数倍に拡大することができる。
大容量化
LRDIMMはバッファーICが必要だが、このコストが最大の難点と考えられる。
ただ、大容量化するというコンセプトを考えると、搭載されるDIMMの価格の方がはるかに高コストで全体のコストの大半を占めると思われるため、バッファーICの価格自体は無視できると見込まれる。
高速化のために、メモリーインターフェイスの1チャンネルあたりに搭載可能なDIMM枚数は減る方向性とされている中、LRDIMMはその1チャンネルで扱えるメモリーチップ数をいかにして増やすかを考えた技術であるといえる。
Sandy BridgeやBulldozerから対応が始まった。
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