CAAC IGZO
読み：スィーエイエイスィー-イグゾー
外語：CAAC IGZO: C-Axis Aligned Crystal IGZO

　シャープと半導体エネルギー研究所が共同開発した、IGZOを改良した化合物半導体。
目次
概要
　IGZOに結晶性を持たせたもの。
　これにより、IGZOよりも更に薄い薄膜トランジスターなどを作ることが可能となり、小型化、軽量化、高性能化などに貢献する。
特徴
結晶化
　従来のIGZOはアモルファス構造を持っていたが、結晶化は困難と考えられていた。
　これに対して半導体エネルギー研究所(SEL)が、単結晶でもアモルファスでもないCAAC構造を発見した。CAAC構造のIGZOは、アモルファス構造のIGZOよりも信頼性に優れている。
単結構造
　IGZOの単結晶は、C軸方向からは六角形、C軸に垂直な方向からは層状に見える。
　CAAC IGZOは、平面は六角形構造だが断面は層状構造であり、つまり結晶構造を有している。
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